早稲田大学ナノテクノロジーリサーチセンター
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WS-030 プラズマCVD装置
プラズマCVD装置
装置分類
高品質製膜装置群
設備ID
WS-030
設備名
プラズマCVD装置
設備名(英語)
TEOS-CVD
型番
PD-220
メーカー名
サムコ(株)
設置場所
202
特徴
SiO2成膜のみ可能 化学蒸着(CVD)装置
仕様
プラズマCVDの原理による成膜 高いカバレッジ成形 基板サイズ6インチ以下 面内分布 5%以内(仕様) 標準条件での基板温度300℃ 基板材料は原則としてSi (応相談)
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