WS-007 ICP-RIE装置

ICP-RIE装置

装置分類	ドライエッチング装置群
設備ID	WS-007
設備名	ICP-RIE装置
設備名(英語)	Inductively Coupled Plasma reactive ion etching
型番	RIE-101iPH
メーカー名	サムコ(株)
設置場所	202
特徴	表面処理・エッチングプラズマエッチング
仕様	汎用反応性エッチング装置 Si、Ti等の微細ｴｯﾁﾝｸﾞ可基板サイズは～4inch 使用可能ガス：SF6、C3F8、CHF3、O2、Ar 基板は冷却（水冷＋Heガス）