WS-008 CCP-RIE装置

CCP-RIE装置

装置分類	ドライエッチング装置群
設備ID	WS-008
設備名	CCP-RIE装置
設備名(英語)	Capacitive Coupled Plasma reactive ion etching
型番	RIE-10NR
メーカー名	サムコ(株)
設置場所	202
特徴	浅いエッチングプラズマエッチング
仕様	SF6、CHF3によるSi、SiO2等のエッチング及びO2によるアッシング基板サイズ：小片～8インチ使用可能ガス：SF6、CHF3、O2、Ar 基板は冷却（水冷）