WS-009 Deep-RIE装置

Deep-RIE装置

装置分類	ドライエッチング装置群
設備ID	WS-009
設備名	Deep-RIE装置
設備名(英語)	Deep Reactive Ion Etching
型番	RIE-400iPB
メーカー名	サムコ(株)
設置場所	202
特徴	Siの深いエッチングプラズマエッチング
仕様	Siの深堀り可能、基板サイズ小片～4インチ、Si基板のみ使用可能ガス：SF6、C4F8、O2、Ar 基板は冷却（水冷＋Heガス）ボッシュプロセス可能