早稲田大学ナノテクノロジーリサーチセンター

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WS-014 紫外線露光装置(両面マスクアライナ)

紫外線露光装置(両面マスクアライナ)


装置分類 微細パターン露光描画装置群
設備ID WS-014
設備名 紫外線露光装置(両面マスクアライナ)
設備名(英語) Ultraviolet Lithography
型番 MA6/BA6
メーカー名 ズース・マイクロテック(株)
設置場所 207
特徴 UV露光/G線(436 nm)、I線(365 nm) 光露光(マスクアライナ)
仕様ズースマイクロテック社製MA6 小片~4インチまで露光可能 最小線幅1μm UV両面マスクアライナー